MEKhANIZM MEZhZONNOY OZhE-REKOMBINATsII V InGaN/GaN KVANTOVYKh YaMAKh V PRISUTSTVII VSTROENNOGO P'EZOELEKTRIChESKOGO POLYa

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.

Авторлар туралы

D. Samosvat

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: samosvat@yandex.ru
Санкт-Петербург, Россия

V. Grishunov

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: vlad.grishunowf@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

G. Zegrya

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: zegrya@theory.ioffe.ru
Санкт-Петербург, Россия

Әдебиет тізімі

  1. J. Bhardwaj, J. M. Cesaratto, I. H. Wildeson et al., Phys. Status Solidi A 214, 1600826 (1999).
  2. P. M. Pattison, M. Hansen, and J. Y. Tsao, C. R. Phys. 19, 134 (2018).
  3. Y. Zhao, H. Fu, G. T. Wang, and S. Nakamura, Adv. Opt. Photon. 10, 246 (2018).
  4. G. Verzellesi, D. Saguatti, M. Meneghini et al., J. Appl. Phys. 114, 071101 (2013).
  5. L. Wang, J. Jin, Ch. Mi et al., Materials 10, 1233 (2017), doi: 10.3390/mal0111233.
  6. S. Karpov, Opt. Quant. Electron. 47, 1293 (2015).
  7. F. Bertazzi, M. Goano, and E. Bellotti, Appl. Phys. Lett. 97, 231118 (2010).
  8. E. Kioupakis, P. Rinke, K. T. Delaney, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 98, 161107 (2011).
  9. A. V. Zinovchuk and A. M. Gryschuk, Opt. Quant. Electron. 50, 455 (2018).
  10. M. Brendel, A. Kruse, H. Jonen et al., Appl. Phys. Lett. 99, 031106 (2011).
  11. H. Y. Ryu, K. S. Jeon, M. G. Kang et al., Sci. Rep. 7, 44814 (2017).
  12. C.-K. Tan, W. Sun, J. J. Wiener, and N. Tansu, AIP Adv. 7, 035212 (2017).
  13. I. Reklaitis, L. Krencius, T. Malinauskas et al., Semicond. Sci. Technol. 34, 015007 (2018).
  14. H.-Y. Ryu, H.-S. Kim, and J.-I. Shim, Appl. Phys. Lett. 95, 081114 (2009).
  15. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, L. Sulmoni et al., J. Appl. Phys. 109, 093106 (2011).
  16. M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
  17. G. G. Zegrya and V. A. Kharchenko, Sov. Phys. JETP 74, 173 (1992).
  18. A. S. Polkovnikov and G. G. Zegrya, Phys. Rev. B 58, 4039 (1998).
  19. J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti et al., Phys. Rev. Lett. 110, 177406 (2013).
  20. F. Bertazzi, M. Goano, Xiangyu Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 106, 061112 (2015).
  21. N. Anchal, A. Pansari, and B. K. Sahoo, AIP Conf. Proc. 2220, 050008 (2020).
  22. X. Li, E. DeJong, R. Armitage et al., Appl. Phys. Lett. 123, 112109 (2023).
  23. D. Jenkins, in Band Structure of InN, GalnN and AlInN, ed. by E. D. Series, Publisher, Address (1994), Vol. 11.
  24. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
  25. R. Vaxenburg, A. Rodina, E. Lifshitz, and A. L. Efros, Appl. Phys. Lett. 103, 221111 (2013).
  26. D. Samosvat, A. Karpova, and G. Zegrya, Appl. Phys. A 131, 99 (2025).
  27. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Sol. 1, 249 (1957).
  28. I.-J. Chen, S. Thorberg, and Y. Chen, in Calculation on the Band Structure of GaAs Using k · p-theory FFF 042, Publisher, Address (2014).
  29. A. Polkovnikov and R. A. Suris, Phys. Rev. B 62, 16566 (2000).
  30. H. Bateman and B. M. Project, Higher Transcendental Functions, Vol. I-III, McGraw-Hill Book Comp., Address (2023).
  31. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025