English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor charge qubit etching fluorine atoms fluorocarbon gases gas temperature kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization quantum dot radiation intensity reduced electric field strength resistive switching silicon specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 1 (2025)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor charge qubit etching fluorine atoms fluorocarbon gases gas temperature kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization quantum dot radiation intensity reduced electric field strength resistive switching silicon specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 1 (2025)

Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Бетелин, В. Б.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 52, № 5 (2023) ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Том 52, № 2 (2023) ТЕХНОЛОГИЯ Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Том 53, № 6 (2024) ТЕХНОЛОГИИ Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
 

JOURNALS

Journal list

Search Articles

Manuscript submission

Services for Authors

LEGAL INFORMATION

User's personal data processing consent

Privacy statement

End user license agreement

Policy on distribution of notifications and marketing information

INFORMATION

Publisher's Blog

SERVICES

Subscription

Advertisement

Help with the site

CONTACTS Eco-Vector

Aptekarskiy per, d. 3, lit. A, office 1H, 191181 Saint-Petersburg, Russia

Phone: +7 (812) 648 8367

Email: info@eco-vector.com

SUBSCRIPTION

Phone: +7 (495) 409 8339

Email: podpiska@eco-vector.com

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP