Construction of peripheral area of fingers of power RF LDMOS transistor

Мұқаба

Авторлар: Alekseev R.P.¹, Prolubnikov P.V.¹, Maltsev V.V.¹, Kurshev P.L.¹, Tsotsorin A.N.¹, Semeykin I.V.¹
Мекемелер:
1. JSC “Scientific Research Institute of Electronic”
Шығарылым: Том 70, № 7 (2025)
Беттер: 664-671
Бөлім: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
URL: https://genescells.com/0033-8494/article/view/692010
DOI: https://doi.org/10.7868/S3034590125070052
ID: 692010

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Рұқсат жабық

Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

A review and study of the design options for the peripherals of RF LDMOS transistor fingers has been carried out. The study was carried out by means of 3D modeling in Sentaurus TCAD. As a result, the design variants allowing to provide the level of the drain-source breakdown voltage at the periphery not lower than in the working part of the finger were determined.

Негізгі сөздер

power RF transistors, LDMOS, transistor finger periphery, modeling, Sentaurus TCAD

Авторлар туралы

R. Alekseev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Email: arp@niiet.ru
Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

P. Prolubnikov

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

V. Maltsev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

P. Kurshev

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

A. Tsotsorin

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

I. Semeykin

JSC “Scientific Research Institute of Electronic”

Starykh Bol’shevikov Str., 5, Voronezh, 394033 Russian Federation

Әдебиет тізімі

Алексеев Р.П., Цоцорин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
Tкачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонтов Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2 498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7 521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeu- wen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450 802 B2. Publ. 28.05.2013.
Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10 886 39. Publ. 05.01.2021.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар

Әрекет

1. JATS XML

© Russian Academy of Sciences, 2025

TOP