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ISSN 0544-1269 (Print)
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关键字 Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
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卷 54, 编号 4 (2025)

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NANOTRANSISTORS

期 标题 文件
卷 54, 编号 2 (2025) Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors PDF
(Rus)
Masalsky N.
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