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Nº 7 (2024)
Formation of thin GaAs buffer layers on silicon for light-emitting devices
Lendyashova V., Ilkiv I., Borodin B., Kirilenko D., Dragunova A., Shugabaev T., Cirlin G.
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(Rus)
Nº 12 (2024)
Effect of radiation-induced defects in gallium and nitrogen lattices on n-GaN conductivity compensation
Kozlovski V., Vasil’ev А., Lebedev А., Zhurkin Е., Левинштейн М., Strelchuk А., Malevsky D., Sakharov А., Nikolaev А.
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(Rus)
Nº 12 (2023)
Formation of Radiation Defects in Wide-Band Semiconductors Based on Gallium (Ga2O3, GaN) under Proton Irradiation
Kozlovski V., Vasil’ev A., Lebedev A., Zhurkin E., Levinshtein M., Strelchuk A.
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(Rus)
Nº 1 (2025)
Stretchable Pixel-Array Light-Emitting Electrode Based on Single-Walled Carbon Nanotubes for Flexible Electronics
Kolesina D., Kochetkov F., Vorobyov A., Novikova K., Goltaev A., Neplokh V., Mukhin I.
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(Rus)
Nº 1 (2024)
Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus
Zikrillaev N., Koveshnikov S., Turekeev X., Ismailov B.
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(Rus)
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